中芯国际14nm年内出货,追上台积电南京厂

据《麻省理工科技评论(MIT Technology Review)》报导,中国中芯国际在去年宣布14nm FinFET制程研发成功后,今年将如期开始出货贡献营收,正式追上台积电南京12寸晶圆厂的16nm工艺,而《麻省理工科技评论》分析,中芯国际半导体制程大跃进功臣,即是联合首席执行官梁孟松。


曾任台积电前研发处长的梁孟松,先前也曾转投三星,之后才辗转到中芯国际效力,而梁孟松到中芯国际短短不到10 个月的时间,就令中芯卡关3 年多的14 nm制程获得突破,甚至在今年开始贡献营收。


《麻省理工科技评论》指出,梁孟松主要为中芯国际带来了「孟松三箭」:


第一箭是首颗采用FinFET 制程制造的14 nm芯片,创下中国首颗FinFET 制程自产芯片之里程碑,中芯国际14 nm FinFET 工艺将同时瞄准全球客户,不是只有国内的IC 设计客户,目前已经有超过10 个流片客户数量。

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