特色工艺市场获优势,联电差异化转型取得新进

在摩尔定律迈向5纳米之际,人们的目光多被几家半导体公司间的先进工艺之争所吸引。然而,逻辑芯片的制造工艺极其复杂多样,5纳米、7纳米等标准工艺只是一部分,晶圆代工厂可以发展的制造工艺平台还有很多,如混合信号、高电压、射频、微机电系统(MEMS)等。联电作为第三大晶圆代工厂,尽管于2018年宣布不再投资12纳米以下的先进工艺,转向多元化发展,追求投资回报率,但是竞争力依然强劲,在诸多成熟、特色工艺平台上均具备领先优势。今年正是联电成立40周年。联电的发展经验,值得业内借鉴。 

持续加码成熟工艺平台 

目前,联电在成熟、特色工艺代工市场占据领先优势。在面板驱动IC领域,联电的市占率居于全球首位,在有机发光二极管(OLED)驱动IC领域也居领先地位。随着5G的部署加快,驱动了智能手机市场的增长,加上大尺寸电视面板需求逐步回温,市场对面板驱动IC的需求持续提升。日前有消息称,联电12英寸厂在驱动IC龙头联咏大量投片下,今年1月45/40纳米工艺段的出货量较去年第四季度平均出货量多出近10%。此外,5G高端机型已普遍开始采用OLED面板。受此影响,OLED面板驱动IC也成为市场重点。联咏等厂商的OLED面板驱动IC多采用联电40纳米及28纳米工艺量产投片。联电在面板驱动IC领域的领先优势不断提升。 

22nm超低功耗(ULP)工艺也是联电推进的重点。2019年年底,联电宣布推出基于22纳米超低功耗(ULP)与22纳米超低漏电(ULL)工艺的基础元件IP解决方案。该方案是联电与智原科技共同研发的。针对低功耗SoC需求,22ULP/ULL基础元件IP具备进阶绕线架构,以及优化的功率、性能和面积设计。相比28纳米技术,22纳米元件库可以在相同性能下减少10%的芯片面积,或降低超过30%功耗,可满足连接、移动、物联网、可穿戴设备、网络和汽车等对低功耗有着很高需求的应用领域产品。 

联电的制造工艺平台当然不仅这两个方面。随着5G、物联网等市场的发展,与之相关的电源管理IC、指纹识别芯片、CIS传感器、物联网MCU、功率半导体等需求不断涌现。联电在务实发展策略指导下,持续加强对成熟工艺平台的开发,取得快速发展,目前55/65纳米、40纳米和28纳米成为联电业绩贡献的主力。在联电日前发布的2019年财报中,净利润达81.55亿元新台币,同比增长6.22%。在2019年全球半导体市场进入下行周期的背景下,联电依然能够取得这样不俗的业绩,显示出转型策略的成功。 

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