IGBT:功率半导体核心元器件

IGBT是国际上公认的电力电子技术第三次革命具代表性的产品。作为工业控制及自动化领域的核心元器件,被称为能量转换的CPU,属于我国“02专项”重点扶持项目。

IGBT即Insulated Gate Bipolar(绝缘栅双极晶体管),属于电压控制器件,是由BJT和MOSFET组成的复合功率半导体器件,是半导体领域里分立器件中特别重要的一个分支。能够根据工业装置中的信号指令来调节电路中的电压、电流、频率、相位等,以实现精准调控的目的,广泛应用于电机节能、轨道交通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子、新能源发电、新能源汽车等领域。

中国是最大的功率半导体消费国,2018年市场需求规模达到138亿美元(iHS数据),增速为9.5%,占全球需求比例高达35%。iHS预计未来中国功率半导体将继续保持较高速度增长,2021年市场规模有望达到159亿美元,年化增速达4.8%。

根据中国产业信息网的数据,2018年中国IGBT市场规模为161.9亿元,同比增长22.19%,增速显著高于全球平均水平。根据Trendforce预测,国内IGBT行业规模在2025年将增至522亿元,期间CAGR高达19.1%。

发展国产化IGBT芯片,打破国际技术封锁,是保障国家基础战略产业发展的需要。在新能源、节能环保“十二五”规划等一系列国家政策措施的支持下,国内IGBT 的发展亦获得巨大的推动力,市场持续快速增长。

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